GEM P型同軸高純鍺（HPGe）輻射探測器

集成低溫冷卻系統(tǒng)選件（-ICS、-ICS-E）
集成低溫冷卻系統(tǒng)（ICS）低溫恒溫器配備有低溫冷卻器，不受回溫循環(huán)的影響。與使用標準型低溫恒溫器探測器的典型三天損失不同，ICS可以立即重新冷卻，限度地減少因臨時回溫而損失的任何時間。ICS可配備內(nèi)部前置放大器（-ICS）或外部前置放大器（-ICS-E）。

集成低溫冷卻低本底系統(tǒng)（-ICS-LB）
低本底探測器配有內(nèi)置前置放大器、高純鋁端蓋、高純鋁窗、高純鋁內(nèi)杯，以及用于ICS集成低溫冷卻系統(tǒng)的低本底銅安裝座。較低本底的材料可在特定計數(shù)時間內(nèi)降低最小可探測活度（MDA），這為在低本底應(yīng)用中增加樣品通量提供了另一種方法。

SMART-1選件 (-SMP)
SMART-1選件用于監(jiān)控和報告重要的系統(tǒng)功能，還可保存碼并在稍后報告該碼。它包括高壓，因此所有儀器都不需要外部高壓電源。SMART-1采用堅固的ABS模塑塑料外殼，并通過模塑應(yīng)變消除密封電纜牢牢地固定在探測器端蓋上。這可避免探測器因水分泄漏到高壓連接器中而受到嚴重損壞。SMART-1可以放置在任何方便使用的位置，不會干擾屏蔽體或其他硬件安裝。

超高計數(shù)率前置放大器選件（-PL）
超高計數(shù)率前置放大器（晶體管復(fù)位前置放大器）可在1 MeV下處理高達1,000,000個計數(shù)/秒的輸入計數(shù)率，并具有無反饋電阻的額外優(yōu)勢。

惡劣環(huán)境選件（-HE）
惡劣環(huán)境選件是一個堅固的碳纖維端蓋，配有密封的電子設(shè)備外殼，并帶有可更換的干燥劑包，用以確保電子設(shè)備保持100％干燥并指示何時需要更換干燥劑包。直徑為76 mm或更大PopTop封裝設(shè)計中的GEM系列探測器可配備此選件。

遠端前置放大器選件（-HJ）
此選件讓所有前置放大器和高壓接頭位于屏蔽之外，并將前置放大器和高壓濾波器從Ge晶體的“視線”移除。對于低本底應(yīng)用，此選件消除了可能增加本底的前置放大器或高壓濾波器組件。

低本底碳纖維端蓋選件（-RB、-LB-C和-XLB-C）
低本底碳纖維端蓋與Al、Mg和Cu一樣堅固，產(chǎn)生的本底少，不被腐蝕，并且可以檢測低于10 keV的能量。這種較低的本底材料可在特定計數(shù)時間內(nèi)降低最小可探測活度（MDA），這為在低本底計數(shù)應(yīng)用中增加樣品通量提供了另一種方法。碳纖維的較低Z可提供低能量窗口，而不會產(chǎn)生在大多數(shù)合金中發(fā)現(xiàn)的額外本底。