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基于半導(dǎo)體的輻射探測(cè)器已經(jīng)有半個(gè)多世紀(jì)的歷史，ORTEC在這期間起到了先鋒帶頭作用。最初的產(chǎn)品基于鋰漂移的鍺Ge（Li）和鋰漂移的硅Si（Li）。Ge（Li）后來(lái)被更的高純鍺（HPGe）探測(cè)器取代。ORTEC提供全面的HPGe探測(cè)器解決方案，涵蓋廣泛的能量和各種應(yīng)用。鍺半導(dǎo)體輻射探測(cè)器需要低溫冷卻。為了支持各種計(jì)數(shù)幾何形狀，ORTEC提供從標(biāo)準(zhǔn)LN2系統(tǒng)到高級(jí)機(jī)電低溫冷卻器（如ICS™）的各種冷卻選項(xiàng)。
采用這些技術(shù)的ORTEC HPGe輻射探測(cè)器在范圍內(nèi)被廣泛應(yīng)用于核結(jié)構(gòu)物理等各種應(yīng)用，以防止在大的商業(yè)港口販運(yùn)非法核材料。
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